Повні розв’язки, як у зошиті. Хочеш розібратися самостійно — під кожним завданням є «Пояснення з репетитором».
§ 8. Домішкова провідність напівпровідників. Електронно-дірковий перехід
Завдання 8.1
Перевірка тверджень про напівпровідники
Які з наведених тверджень є істинними? А Напівпровідник з акцепторною домішкою є напівпровідником p-типу. Б У напівпровідниках n-типу основними вільними носіями заряду є дірки. В Опір p-n-переходу залежить від напрямку струму.
Розв’язання
Аналізуємо твердження А: оскільки акцепторні домішки створюють дірки, напівпровідник дійсно є p-типу — твердження істинне.
Аналізуємо твердження Б: у напівпровідниках n-типу основними носіями є вільні електрони, а не дірки — твердження хибне.
Аналізуємо твердження В: опір p-n-переходу суттєво змінюється залежно від полярності (струм тече лише в одному напрямку) — твердження істинне.
Відповідь:
Істинними є твердження А та В.
Завдання 8.2
Визначення полярності під'єднання джерела струму
На рис. 1 наведено схему прямого ввімкнення напівпровідника з p-n-переходом у коло. Якою є полярність під'єднання джерела струму до клем А і В?
Розв’язання
На схемі видно, що зона p-типу розташована ближче до клем А, а зона n-типу — ближче до клем В.
Для прямого ввімкнення (коли діод пропускає струм) потенціал на зоні p має бути вищим, ніж на зоні n.
Отже, позитивний полюс джерела струму під'єднується до клем А, а негативний — до клем В.
Відповідь:
Позитивний полюс джерела струму під'єднати до клем А, а негативний — до клем В.
