ГДЗ · Фізика · 9 клас
Фізика, Бар’яхтар В. Г., Божинова Ф. Я., Довгий С. О., Кірюхін М. М., Кірюхіна О. О., за ред. Довгого С. О., 2026 · № 7.1–7.3 · 3 завдання
Повні розв’язки, як у зошиті. Хочеш розібратися самостійно — під кожним завданням є «Пояснення з репетитором».
§ 7. Електричний струм у напівпровідниках. Власна провідність напівпровідників
Оберіть речовини з електронно-дірковою провідністю серед: а) алюміній; б) германій; в) залізо; г) мідь; д) кремній.
Розв’язання
Алюміній, залізо та мідь — це метали, тому вони не мають діркової провідності.
Германій і кремній — це класичні напівпровідники, у яких струм переносять як вільні електрони, так і дірки.
б) германій; д) кремній
Установіть відповідність між середовищем (1–3) і графіком залежності питомого опору від температури (А–Г):
1 — Метали; 2 — Розчини електролітів; 3 — Напівпровідники.
Розв’язання
Метали (1): При нагріванні атоми металу більше перешкоджають руху електронів, тому опір зростає — це графік Б.
Розчини електролітів (2): Для них характерна майже незалежність опору від температури — це горизонтальна лінія, графік В.
Напівпровідники (3): При нагріванні зв'язки розриваються і з'являються вільні носії заряду, тому опір різко падає — це графік А або Г (враховуючи, що для чистих напівпровідників характерне сильне падіння).
1–Б; 2–В; 3–А
Поясніть, чому опір фоторезистора збільшується при зменшенні освітленості, якщо раніше він був освітлений і містив багато вільних носіїв заряду.
Розв’язання
Коли фоторезистор освітлений, енергія фотонів розриває зв'язки, і кількість вільних носіїв заряду (електронів і дірок) зростає, що знижує опір.
При зменшенні освітленості світлових квантів стає менше, тому нових вільних носіїв не створюється.
Існуючі вільні електрони і дірки швидко «падають» назад у валентні зв'язки, відновлюючи кристалічну ґратку.
Кількість вільних носіїв заряду різко зменшується, що призводить до збільшення питомого опору матеріалу.
Опір збільшується, оскільки при відсутності світла вільні електрони і дірки швидко повертаються у валентні зв'язки, значно зменшуючи кількість вільних носіїв заряду.